بررسي تئوري ترانزيستور هاي MESFET شامل مراحل ساخت ، فيزيك الكترونيك و تحليل انتقال الكترون بصورت تئوري به روش مونت كارلو 105ص
فهرست مطالب
- مقدمه 1
- ترانزيستورهاي اثر ميداني 1
- ماسفت (MEFSET) 2
فصل اول : نيمه هادي GaAs
بخش 1-1 : نيمه هادي GaAs 5
1-1-1 : مقدمه 5
2-1-1 : خواص فيزيکي نيمه هادي GaAs 5
3-1-1 : چگالي حامل 9
1-1-3-1 : خواص زير لايه ذاتي 9
2-1-3-1 : خواص سطحي 11
3-1-3-1 : چگالي حامل غير ذاتي 13
4-1-1 : حرکت حامل 16
1-4-1-1 : حالت ميدان ضعيف 16
2-4-1-1 : شرايط ميدان قوی 18
بخش 2-1 : جبران سازي در کريستال GaAs 21
بخش 3-1 : مباني نظري MESFET 23
1-3-1 : مقدمه 23
2-3-1 : پيوند فلز – نيمه هادي(شاتکي) 23
بخش 4-1 : مباني نظري ترانزيستور فلز – نيمه هادي MESFET 31
1-4-1 : مقدمه 31
2-4-1 : اصول عملکرد 34
فصل دوم : مدل سيگنال کوچک MESFET
بخش 1-2 : مدل سيگنال کوچک MESFET 39
1-1-2 : المانهاي غير ذاتي 40
2-1-2 : المانهاي ذاتي 40
3-1-2 : زمان ارسال ، (زمان تأخير ترنس کندوکتانس) 42
4-1-2 : انتخاب مدل مناسب ترانزيستور 42
5-1-2 : محدوديت فرکانس بالا در ترانزيستور 42
بخش 2-2 : بررسي رفتار نويز در ترانزيستورMESFET 43
بخش 3-2 : بدست آوردن پارامتر هاي ترانزيستور تنها با استفاده پارامترها پراکندگي 46
- مقدمه 46
بخش 4-2 : محاسبه مدار معادل المانهاي غير ذاتي 50
1-4-2 : محاسبه سلفها و مقاومتهاي غير ذاتي 50
2-4-2 : محاسبه خازنهاي غير ذاتي Cpd,Cpg 52
3-4-2 : بدست آوردن مدار معادل ترانزيستور NE76000 53
با استفاده از پارامترهاي پراکندگي
فصل سوم : روش مونت کارلو
بخش 1-3 : مقدمه 56
بخش 2-3 : روش تك ذره مونت كارلو (101) 56
1-2-3 : زمان حركت آزاد 57
2-2-3 : انتخاب فرآيند پراكندگي 58
3-2-3 : تعيين وضعيت جديد بردار موج 59
1-3-2-3 : پراكندگي از ناخالصي هاي يونيزه شده 60
2-3-2-3 : پراكندگي از فونونهاي صوتي 60
3-3-2-3 : پراكندگي از فونونهاي نوري غير قطبي 61
4-3-2-3 : پراكندگي از فونهاي نوري قطبي 62
5-3-2-3 : پراكندگي الكترون-الكترون 62
4-2-3 : اصلاح دستگاه مختصات 63
5-2-3 : اثرات غير سهمي بودن نوار انرژي 64
بخش 3-3 : روش دسته جمعي مونت كارلو (101) 67
بخش 4-3 : شبيه سازي مونت كارلو در ادوات نيمه هادي (101) 68
1-4-3 : شرايط مرزي 69
1-1-4-3 : شرايط مرزي براي پتانسيل 69
2-1-4-3 : شرايط مرزي براي ذرات در روش دسته جمعي مونت کارلو 70
2-4-3 : گسسته سازي ناحيه شبيه سازي 70
3-4-3 : تعيين پله هاي زماني 71
4-4-3 : ابر ذره 72
5-4-3 : روش ذره – مش PM 72
1-5-4-3 : تخصيص ذرات به گره هاي مش 73
2-5-4-3 : حل معادله پواسن 76
3-5-4-3 : روش هاي عددي حل معادله پواسن 78
- ضميمه 1 80
- ضميمه 2 81
فصل چهارم : تاثير خواص مواد نيم رسانا و ساختار مسفت بر مشخصه هاي انتقال الکترون در افزاره (شبيه سازي مونت کارلو)
- چکيده 84
بخش 1-4 : مقدمه 84
بخش 2-4 : مسفت In0.53Ga0.47As 86
بخش 3-4 : ترانزيستور مسفت InP 91
بخش 4-4 : ترانزيستور مسفت In0.53Ga0.47As با سورس InP 94
بخش 5-4 : نتيجه گيري 95
- منابع 98
|
